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SXSEMI P6SMB250A

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P6SMB250AREACH（SVHC）声明

本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的声明，涉及产品系列/零件号P6SMB250A，该产品含有在附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比。声明中提到，根据REACH法规，该物质被识别为高度关注物质（SVHC），目前SVHCs清单上有209项物质。此声明不影响任何现有合同或购买协议。声明由Littelfuse全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos于2020年7月15日发布。

LITTELFUSE -  Test Report  - July 15, 2020   Part# :P6SMB250A

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P6SMB250A RoHS合规证书

本文件为Littelfuse公司关于产品P6SMB250A的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有害塑化剂（如DEHP、BBP、DBP和DIBP）。证书由Littelfuse全球环境、健康与安全（EH&S）总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署，并提供了联系方式。证书基于供应商提供的信息，并注明如需更多信息，可通过指定邮箱联系。

LITTELFUSE -  Test Report  - May 5, 2020   Part# :P6SMB250A

P6SMB250A TVS SURF MT DO214AA T&R RoHS Lab Analysis Report and Certification

LITTELFUSE -  Test Report  - 11/16/2018   Part# :P6SMB250A,F367SN10-90P4

P6SMB系列瞬态电压抑制器二极管

该资料详细介绍了P6SMB系列瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diodes）的产品特性、电气特性、典型特性和封装尺寸。资料涵盖了产品的最大峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、功耗、正向浪涌电流、工作结温和存储温度范围等关键参数。

SXSEMI -  Datasheet  - 未提及  - 未提及   Part# :P6SMB250A,P6SMB510A,P6SMB91A,P6SMB43A,P6SMB75A,P6SMB51A,P6SMB36A,P6SMB130A,P6SMB24A,P6SMB68A,P6SMB12A,P6SMB56A,P6SMB150A,P6SMB550A,P6SMB16A,P6SMB110A

P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT

CENTRAL SEMICONDUCTOR -  Datasheet  - R7  - 11-September 2018   Part# :P6SMB250A,P6SMB91A,P6SMB43A,P6SMB75A,P6SMB51A,P6SMB36A,P6SMB130A,P6SMB24A,P6SMB68A,P6SMB120A,P6SMB12A,P6SMB56A,P6SMB150A,P6SMB22A,P6SMB18A,P6SMB16A,P6

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SMB CASE P6SMB6.8A THRU P6SMB250A SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 600 WATT, 6.8 THRU 250 VOLT

CENTRAL SEMICONDUCTOR -  Datasheet  - R6  - 22-August 2016   Part# :P6SMB250A,P6SMB91A,P6SMB43A,P6SMB75A,P6SMB51A,P6SMB36A,P6SMB130A,P6SMB24A,P6SMB68A,P6SMB120A,P6SMB12A,P6SMB56A,P6SMB150A,P6SMB22A,P6SMB18A,P6SMB16A,P6

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P6SMB250CA TVS SURF MT DO214AA T&R RoHS Lab Analysis Report and Certification

LITTELFUSE -  Test Report  - 2019/04/05   Part# :P6SMB250CA,CK-2000C,F367SN10-90P4

China RoHS Substance Report P6SMB

LITTELFUSE -  Test Report  - 10/19/2018   Part# :P6SMB,P6SMB33A

RoHS Lab Analysis Report and Certification P6SMB39A

LITTELFUSE -  Test Report  - 2016/11/27   Part# :P6SMB250A,CK-2000C,P6SMB68CA,P6SMB33CA,P6SMB300CA,P6SMB510CA-HE,P6SMB30A,P6SMB6.8CA,P6SMB480CA,P6SMB440A,P6SMB39A,P6SMB440CA,P6SMB27A,F367SN10-90P4,P6

200/250A整流桥组件

本资料介绍了一种200/250A整流桥组件，适用于发电机（根据发电机尺寸选择相应整流桥）。组件包括AC相输出、6号电缆（最小）、负极组、正极组、2号电缆（最小）等。资料还提供了产品编号、规格和尺寸信息，以及制造商的联系方式和网站。

EATON BUSSMANN -  User's Guide  - 0102   Part# :250A,200A

UMD6N双通道数字晶体管（NPN+PNP）

UMD6N是一款双数字晶体管（NPN+PNP）产品，采用SOT-363封装。该产品具有独立晶体元件，减少干扰，降低安装成本和面积。主要参数包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗等。电气特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、直流电流转移比、输入电阻、转换频率等。此外，还提供了SOT-363封装的轮廓尺寸和推荐焊盘布局图。

SXSEMI -  Technical Documentation   Part# :UMD6N

A94晶体管（PNP）

本资料详细介绍了型号为A94的PNP型晶体管（SOT-89-3L封装）的技术规格。内容包括最大额定值、电气特性、典型特性曲线以及封装尺寸和推荐焊盘布局。资料涵盖了晶体管的集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗、工作温度范围等关键参数。

SXSEMI -  Technical Documentation   Part# :A94

UMy1N双晶体管（PNP+NPN）

该资料介绍了UMY1N双晶体管（PNP+NPN）的产品特性。产品包含2SA1037AK和2SC2412K晶体管，采用SOT-353封装。特性包括PNP和NPN晶体管具有共同的发射极，可降低安装成本和面积。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性以及SOT-353封装的尺寸和布局信息。

SXSEMI -  Technical Documentation   Part# :UMY1N

S8050晶体管（NPN）

S8050是一款NPN型晶体管，具有SOT-23封装。该晶体管与S8550互补，具有0.5A的集电极电流。资料中详细列出了S8050的最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸。包括集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极的击穿电压，集电极截止电流，直流电流增益，饱和电压等参数。此外，还提供了S8050的典型特性曲线和SOT-23封装的轮廓尺寸。

SXSEMI -  Technical Documentation   Part# :S8050
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Brand：SXSEMI

Category：High Power TVS

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Brand：HUA XUAN YANG ELECTRONIC

Category：保护二极管

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Brand：MDD

Category：TVS管

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RFQ

Brand：EIC

Category：SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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RFQ

Brand：QY Semiconductor

Category：Surface Mount Transient Voltage Suppressors

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Brand：Liown

Category：TVS Diodes

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Brand：CREATEK

Category：Power TVS

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RFQ

Brand：SALLTECH

Category：TVS

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Brand：Semicon Champion

Category：TVS

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RFQ

Brand：JingDao Microelectronics

Category：瞬态抑制二极管

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